氧气性质：

常温常压下为无色、无臭，无味气体。氧不可燃，但助燃。d0（气体）1. 429g/L;  d-183（液体）1.14g/rnL;熔点-218.4℃；沸点- 182. 96℃，临界温度一118. 95℃；临界压力50. 14atm;汽化热50. 9cal/g (-183℃)(lcal=4.2J)。在常压下冷至-182.9℃时即为天蓝色透明液体。

氧气制法：

以空气分离装置制得的氧为原料，经两级精馏后得99.5%以上的氧，再进入高纯氧塔，经过两次低温精馏后得99. 995%以上的高纯氧。

氧气用途：

高纯氧气体主要用于半导体器件的热氧化、扩散、化学气相沉积及等离子蚀刻等工艺，还可用于光导纤维、彩色显像管制造并作标准气、校正气和零点气等。作为氧化源与产生高纯水的反应剂。对于MOS场效应器件，氧化层必须相当致密，采用高纯氧气进行干法氧化，其氧化层结构致密，正电荷少，耐压高，能满足生产需要。与四氟化碳混合，可用于等离子刻蚀。

氧气安全性：

助燃压缩气体，无毒。但暴露在高浓氧中，对肺和中枢神经有不良影响。所有可燃物质、特别是油和油脂，不得与高浓度氧接触。对所有可能的着火源，都必须加以封闭或撤离。置于阴凉处，严禁与酸、碱、油脂、易燃易爆物品及高温热源、电火花接近，并避免撞击。